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- [发明专利]刻蚀工艺方法及装置-CN202110301034.4在审
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林源为
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2021-03-22
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2021-07-09
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H01L21/3065
- 本申请实施例公开了一种刻蚀工艺方法及装置，用以解决现有的刻蚀工艺导致顶部扇贝尺寸过大、且各分段刻蚀工艺之间难以平滑过渡的问题。所述方法包括：获取刻蚀工艺对应的第一刻蚀参数信息，以及对刻蚀工艺进行分段执行的分段参数信息；根据第一刻蚀参数信息和分段参数信息，确定各分段刻蚀工艺分别对应的第二刻蚀参数信息；其中，各分段刻蚀工艺均包括多个循环执行的工艺步骤；根据各分段刻蚀工艺分别对应的第二刻蚀参数信息，分段执行刻蚀工艺。该技术方案能够减小顶部扇贝尺寸，且使得每两个相邻的分段刻蚀工艺之间能够平滑过渡。
- 刻蚀工艺方法装置
- [发明专利]一种刻蚀副产物智能自清洁方法-CN201811026563.2有效
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聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰
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上海华力微电子有限公司
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2018-09-04
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2021-03-12
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H01L21/67
- 本发明公开了一种刻蚀副产物智能自清洁方法，适用于对半导体干法刻蚀工艺过程，提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备，还包括以下步骤：步骤S1，工艺控制系统于干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前，采集干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数；步骤S2，工艺控制系统根据第一工艺参数，获得对干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数；步骤S3，工艺控制系统根据第二工艺参数对干法刻蚀设备执行自清洁工艺；步骤S4，干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺，待干法刻蚀工艺执行完毕后返回步骤本发明的技术方案有益效果在于：减少刻蚀过程中因聚合物累积造成的刻蚀缺陷颗粒源，改善晶圆批次作业的首枚效应问题。
- 一种刻蚀副产物智能清洁方法
- [发明专利]补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备-CN202011315376.3在审
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林源为
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2020-11-20
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2021-03-12
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H01L21/3065
- 本申请实施例提供了一种补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备，该方法包括：获取当前的实际刻蚀深度，判断实际刻蚀深度是否达到目标刻蚀深度；若实际刻蚀深度未达到目标刻蚀深度，基于实际刻蚀深度、目标刻蚀深度、常规刻蚀的刻蚀深度、常规刻蚀的循环执行次数、常规刻蚀各工艺参数的初始值和最终值，计算补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中各工艺参数的数值；基于计算得到的补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中工艺参数的数值，执行补充刻蚀。通过本申请提供的技术方案，在常规刻蚀的刻蚀深度没有达到目标刻蚀深度时，可以自动计算出补充刻蚀所需的工艺参数的数值，并基于补充刻蚀所需的工艺参数的数值进行补充刻蚀以达到目标刻蚀深度。
- 补充刻蚀方法半导体设备
- [发明专利]酸槽式湿法刻蚀工艺-CN201811458540.9有效
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孙兴
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上海华力微电子有限公司
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2018-11-30
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2021-07-02
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H01L21/67
- 本发明提供了一种酸槽式湿法刻蚀工艺，包括：进行酸槽换酸后第一次酸槽刻蚀；根据酸槽中小换酸的周期内累计处理的硅片的数量计算刻蚀速率；根据计算的刻蚀速率和硅片的薄膜的刻蚀量获得工艺时间，通过量测后值和工艺时间获得实际刻蚀速率从第二次酸槽刻蚀开始，根据上一次计算的刻蚀速率和实际的刻蚀速率调节此次工艺刻蚀的速率。在本发明的酸槽式湿法刻蚀工艺中，通过小换酸的周期内累计处理的硅片的数量计算刻蚀工艺中每一批硅片的刻蚀速率，减少小换酸前后实际刻蚀速率的突变对工艺控制的计算的影响，最终提高工艺控制的准确度，可以实现硅片的连续刻蚀作业
- 酸槽式湿法刻蚀工艺
- [发明专利]一种刻蚀方法和装置-CN201510703028.6在审
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梁小祎
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北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
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2015-10-26
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2017-05-03
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H01L21/67
- 本发明提供了一种刻蚀方法和装置，其中，所述方法包括调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。通过本发明提供的刻蚀方案，按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。
- 一种刻蚀方法装置
- [发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统-CN201911145346.X在审
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姜水龙
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中芯集成电路（宁波）有限公司
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2019-11-21
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2020-12-22
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H01L21/3065
- 一种刻蚀方法和刻蚀系统，所述刻蚀方法用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀，所述刻蚀方法包括：获得掩盖层的目标厚度，所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度；在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层，所述掩盖层露出部分的被刻蚀层；以所述掩盖层为掩膜，采用所述刻蚀工艺去除所述掩盖层和所述掩盖层露出的部分厚度的所述被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成目标图形。本发明实施例通过在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层，且所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀所述被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度，有利于精确控制对被刻蚀层的刻蚀深度、增大刻蚀工艺的工艺窗口。
- 刻蚀方法系统
- [发明专利]刻蚀方法-CN201910842922.X有效
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曹子贵
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2019-09-06
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2021-11-12
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H01L21/3065
- 本发明提供了一种刻蚀方法，包括：第一步骤：初始化；第二步骤：根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式，并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率；第三步骤：获取刻蚀机台的实时刻蚀速率；第四步骤：比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小；第五步骤：若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率，调用第一暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率，调用第二暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率，调用所述刻蚀工艺程式。通过比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小，刻蚀机台对应执行不同的工序，实现了刻蚀机台的实时刻蚀速率的主动干预和动态调整。
- 刻蚀方法
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